金属锂的微结构尺寸整体上还随循环圈数的增加而减小，行业均匀度也不断变差，呈粉化趋势。

研究人员将直径为1.24nm的(10,8)碳管分别制备了微米级和纳米级沟道长度的场效应晶体管器件，紧缺结果发现微米级沟道单手性碳管器件的平均开关比约为106，紧缺迁移率达到61cm2·V-1·s-1，与已报道的单手性碳管器件具有明显的优势。这两种单手性碳管的直径分别为1.24纳米和1.20纳米，问题其S11吸收峰和荧光发射峰分别在1.50µm和1.52µm，均位于通信波长C波段。

浮现图6.(10,8)单手性碳管的场效应晶体管器件性能表征。【引言】单手性碳纳米管可以看做将石墨烯沿特定角度卷绕而成的纳米尺寸单层管，行业具有确定的能带结构和近红外吸收发射特性，行业在碳基集成电路，红外光探测器和量子光源等方面有着广泛的应用前景，有望成为下一代碳基电子的核心材料。紧缺图3.PCP和PFP聚合物在分步梯次提取过程的示意图及其光谱表征。

这项工作有助于研究人员更好的理解手性碳纳米管与聚合物的结构对应关系，问题为单手性碳纳米管的可控分离与制备提供重要的发展思路，问题进一步促进碳基电子和光电子学的发展。浮现分别得到了单手性纯度为92.3%的(10,8)碳管和95.6%的(12,5)碳管。

并通过开发两种普适的高纯度分离策略：行业增强超速离心和多步提取方法，行业实现了 (10,8)碳管和(12,5)碳管的高纯度可控分离，其手性纯度为已报道的大直径单手性碳管中的最高数值。

而纳米级沟道单手性碳管器件的性能统计证明，紧缺其半导体纯度可以达到99.94%以上。包含origin图绘制，问题XRD、XPS等数据处理及图形绘制。

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